СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках Учебное пособие Техносфера 978-5-94836-290-8, Васильев Андрей Георгиевич, Концевой Юлий Абрамович, Колковский Юрий Владимирович

Цена: 509 356 руб.

Цены на книгу в магазинах:
	My-shop.ru	- 319 руб. 0%
	Лабиринт	- 356 руб. 0%
	books.ru	- 572 руб. 0%
	book24 RU	- 659 руб. 0%
	Буквоед	- 659 руб. 0%
	Читай-город	- 659 руб. 0%

Категория: Электротехника. Электроника

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (HEMT). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.