Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд испр Техносфера 9785948362892
Цена: 1459 руб.
Категория: Наука. Техника. IT, Автоматика. Радиоэлектроника. Связь
| Цены на книгу в магазинах: | ||
 | My-shop.ru | - 773 руб. 0% |
| Лабиринт | - 891 руб. 0% |
| books.ru | - 1212 руб. 0% |
| book24 RU | - 1459 руб. 0% |
| Буквоед | - 1459 руб. 0% |
| Читай-город | - 1459 руб. 0% |
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
Издательство: Техносфера
ISBN: 9785948362892
Объем: 0
Год: 2011
Возрастное ограничение: 12
Вес: 1.400
подробнее...
ISBN: 9785948362892
Объем: 0
Год: 2011
Возрастное ограничение: 12
Вес: 1.400
подробнее...
Комментарии, отзывы о "Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.":
Добавить первый отзыв ...
Посетители интересовались:
