Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Техносфера 978-5-94836-289-2, Красников Геннадий Яковлевич

Цена: 1273 891 руб.

Цены на книгу в магазинах:
	My-shop.ru	- 773 руб. 0%
	Лабиринт	- 891 руб. 0%
	books.ru	- 1212 руб. 0%
	book24 RU	- 1459 руб. 0%
	Буквоед	- 1459 руб. 0%
	Читай-город	- 1459 руб. 0%

Категория: Электротехника. Электроника

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов. 2-е издание, исправленное.