Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов Техносфера 978-5-94836-289-2, Красников Г
Цена: 1459 руб.
Категория: Научно-популярная литература, Технические науки, Радиоэлектроника
| Цены на книгу в магазинах: | ||
 | My-shop.ru | - 773 руб. 0% |
| Лабиринт | - 891 руб. 0% |
| books.ru | - 1212 руб. 0% |
| Буквоед | - 1459 руб. 0% |
| Читай-город | - 1459 руб. 0% |
| book24 RU | - 1459 руб. 0% |
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
Издательство: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-289-2
Объем: 800
Серия: Мир электроники
Автор: Красников Г.
Год: 2011
Код номенклатуры: ORS730856831478565
Электронная: Нет
noСкидка: no
подробнее...
ISBN: 978-5-94836-289-2
Объем: 800
Серия: Мир электроники
Автор: Красников Г.
Год: 2011
Код номенклатуры: ORS730856831478565
Электронная: Нет
noСкидка: no
подробнее...
Комментарии, отзывы о "Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов":
Добавить первый отзыв ...
Посетители интересовались:
