Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд испр Техносфера 978-5-94836-289-2, Красников Г.Я

Цена: 1459 руб.RUB
Цены

Цены на книгу в магазинах:
My-shop.ru - 832 руб.
0%
Лабиринт - 891 руб.
0%
books.ru - 1212 руб.
0%
book24 RU - 1459 руб.
0%
Буквоед - 1459 руб.
0%
Читай-город - 1459 руб.
0%
Буквоед - 1459 руб.
0%
Категория: Автоматика. Телемеханика

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.

Издательство: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-289-2
Особенности: Минимальная сумма заказа 100 рублей
Автор: Красников Г.Я.
Год: 2011

подробнее...
Комментарии, отзывы о "Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.":
Посетители интересовались:
Закрыть
Ваша скидка:

%

изменение цены на товар Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.
Закрыть